24小时服务热线
19337881562
液相法、激光切割，正在迭代应用的碳化硅新工艺介绍 ...
3 天之前 液相法、激光切割，正在迭代应用的碳化硅新工艺介绍. 作者 808, ab. 12月 26, 2023. 作为第三代半导体芯片的典型代表，碳化硅（SiC）拥有比硅更优秀的半导体性 2023年7月14日 据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外，华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
了解更多
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动 ...
2024年3月12日 英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。 新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率 2022年10月9日 外延工艺是指在碳化硅衬底的表面上生长一层质量更高的单晶材料，如果在 半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，则称为异质外延；如果在导电型碳化硅 衬底表面生长一层碳化硅外延层，则称为同质外 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领
了解更多
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备过 2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一 碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
了解更多
碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进行系统综 2024年6月4日 碳化硅单晶生长取得新进展！. 经过近两年的努力，实验室孵化的企业联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院首次生长出了厚度达100 mm的超厚碳化硅单 碳化硅单晶生长取得新进展！
了解更多
碳化硅薄膜技术：加工、性能和应用的最新进展 - 第一部分 ...
2023年10月3日 在由两部分组成的报告的第一部分中，我们对碳化硅 (SiC) 材料系统尖端创新的最新进展进行了详细、系统的回顾，重点关注化学气相沉积 (CVD) 薄膜技术。. 为 2024年5月31日 SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早 一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 - 电子工程专辑 EE ...
了解更多
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
了解更多
新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延
2022年8月24日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程：. 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；. 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法 ...2023年7月14日 碳化硅行业是一个巨大的增量市场，尤其是随着新能源汽车产业变革趋势下，碳化硅正迎来全面爆发期。 目前碳化硅市场主要由国外的厂商在供，但国外厂商的产能也远远满足不了整体市场的需求，也就是说即使想要进口也面临买不到、很难买的情况，这也是国内企业可以快速入场的机会。碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
了解更多
碳化硅_百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...2024年7月9日 总结. 本文介绍了一种新的碳化硅（SiC）晶圆清洗方法。. 我们发现在RCA清洗中，氟化氢（HF）溶液浸渍处理会破坏SiC，因此设计了一种新的不使用HF的清洗方法，并将清洗过程减少到三步。. 这种新方法的特点是使用了过渡金属络合物。. 一般来说，晶 【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法-电子工程专辑
了解更多
先进半导体研究院----碳化硅芯片怎么制造？（科普视频转发 ...
2021年8月5日 浙江大学--先进半导体研究院--宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓）以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，发挥重要作 2021年9月24日 碳化硅，又叫宽禁带半导体，第三代半导体 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，发挥重要作用碳化硅芯片的五大关键工艺步骤_电子器件
了解更多
【钧瓷网】“钧瓷新工艺”的回顾与思考_生产
2018年8月28日 一. “钧瓷新工艺”的试验成功，被人们称之为钧瓷近代发展史上的一次革命。. 1983年9月，禹县钧瓷一厂因钧瓷新工艺的成功曾荣获河南省重大科技成果三等奖。. 《河南日报》也发表了“钧瓷窑变随人愿”的报道文章。. 1984年3月，河南省经委为禹县钧瓷厂拨 2021年7月21日 单晶生长工艺 正追赶世界先进水平 今年1月，湖南省首个第三代半导体产业园及国内首条碳化硅研发生产全产业链产线封顶。据介绍，该项目主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目全面建成投产后 ...碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-新华网
了解更多
碳化硅颗粒增强铝基复合材料硬质氧化新工艺_百度文库
2014年1月22日 1.一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料硬质氧化新工艺，其特征在于：包括以下步骤：. 1）将SiCP铝基复合材料壳体放入一种混酸电解液中，将SiCP铝基复合材料壳体置于氧化槽的阳极，阴极极板采用铅板；. 碳化硅陶瓷材料具有非常优异的力学性能 ...2013年7月19日 Claims Translate. 1.一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料硬质氧化新工艺，其特征在于：包括 以下步骤：. 1）将SiC P 铝基复合材料壳体放入一种混酸电解液中，将SiC P 铝基复合材料 壳体置于氧化槽的阳极，阴极极板采用铅板；. 2）氧化槽内降温系统采用耐腐 碳化硅颗粒增强铝基复合材料硬质氧化新工艺-CN103526253A ...
了解更多
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动 ...
2024年3月12日 英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。. 新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率更高的系统，在实现节能的同时减少现场的每瓦二氧化碳排放。. 这充分体现了英飞凌坚持不懈持 开幕大会现场. 2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。. 论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。. 开幕大会现场.顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术 ...
了解更多
粉末挤出3D打印工艺为碳化硅热交换器件制造提供新途径
2024年4月12日 PEP为碳化硅热换器制造提供了新途径 从碳化硅陶瓷的素坯成型工艺入手，并结合适宜的烧结工艺，使烧成的碳化硅陶瓷毛坯达到近净成型，以减少后续加工量，并保证产品性能满足使用要求，这将成为复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的主要研究方向。2022年4月24日 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展. 李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林 2022-04-24. 分享. 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。. 然而，由 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
了解更多
第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链 ...
2024年4月17日 1、第三代半导体特性 (1)碳化硅 根据《中国战略性新兴产业：新材料(第三代半导体材料)》，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性: ①耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。2021年11月15日 目前碳化硅陶瓷的制备技术主要有反应烧结、常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、放电等离子烧结、振荡压力烧结。. 1. 反应烧结. 反应烧结碳化硅的工艺流程首先是将碳源和 碳化硅粉 进行混合，经注浆成型，干压或冷等静压成型制备出坯体，然后进行渗硅 ...碳化硅陶瓷七大烧结工艺-会议展览-资讯-中国粉体网
了解更多
碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网
3 天之前 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展. 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨 ...2014年3月26日 碳化硅 生产过程中产生的问题：. ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的 碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见 ...
了解更多
顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术 ...
2 天之前 在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大(目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。2024年6月13日 碳化硅陶瓷防弹材料新里程：创新组分与烧结工艺解析. 为提高碳化硅防护装甲材料的抗冲击性能,基于Materials Studio建立的模型仿真研究高温下AL-BN-C体系助剂在SIC中具有良好的热稳定性与结品度。. 通过实验验证模拟的有效性。. 以碳化硅微粉作为原料 碳化硅陶瓷防弹材料新里程：创新组分与烧结工艺解析-新闻 ...
了解更多
碳化硅生产新工艺,碳化硅制备加工配方设计,碳化硅技术专利 ...
2017年8月18日 碳化硅生产新工艺与制备加工配方设计及技术专利全集 主编：国家专利局编写组 出版发行：中国知识出版社2011 年 规格：全四卷16 开精装+1 张CD 光盘 定价：1180 元 优惠价：680 元 详细目录 1 200410030786.8 铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖 ...2020年9月21日 第三代半导体材料中，受技术与工艺 水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。相比而言，近年来碳化硅晶片作为衬底材料的应用 ...第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析_器件
了解更多
碳化硅：渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场 ...
2024年2月28日 碳化硅：渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场拉开帷幕. 全景网2024-02-28 20:49广东. 碳化硅时代来临，第三代半导体技术成为后摩尔时代半导体行业发展的重点方向之一。. 碳化硅材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、 2021年7月21日 今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。. 科技日报记者7月18日对业内专家进行采访时发现，他们对我国第三代半导体的发展 ...碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...
了解更多
系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
2019年6月13日 碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗大、效率低等缺点，必须进一步开发大尺寸碳化硅晶体的切割工艺，提高加工效率。 衬底表面加工质量的好坏直接决定了外延材料的表面缺陷密度，而大尺寸碳化硅衬底的研磨和抛光工艺仍不能满足要求，需要进一步开发研磨、抛光工艺参数，降低晶圆 ...碳化硅生产工艺. (4)碳化硅在1400℃与氧气开始反应。. 在900~1300℃开始氧化、分离出SiO2，或产生CO气体。. 总投资约11500~12000万元，建成年产11万吨左右的碳化硅生产基地。. （主要设备：变压器，整流柜，高低压柜，碳化硅冶炼电炉等）. 如果投资14000万 碳化硅生产工艺_百度文库
了解更多
引起热潮的CVD法硅碳负极新工艺，有何玄机？_粉体资讯 ...
2023年11月23日 从上述分析可以看出，这两种率先产业化的技术路线都存在一些“症结”，就在硅基负极材料的进一步提升面临瓶颈的时候，新一代技术——采用CVD法的气相沉积硅碳技术应运而生，很快便掀起热潮，成为了当今锂电池负极材料市场的“新宠”。. 新一代CVD法
了解更多